当前，凭借高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，碳化硅功率器件已经成为新能源汽车、5G通讯、轨道交通、智能电网等市场新的增长点。 据TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体研究处预测，2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%。与此同时，受惠于下游应用市场的强劲需求，预期至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元。 当前，全球碳化硅市场主要被国外厂商所占据，尤其是面对巨大的市场前景，STM、Infineon、Wolfspeed、ROHM、Onsemi等一众国际半导体厂商都纷纷加码扩产。而近期，除了安森美半导体考虑投资20亿美元扩产碳化硅芯片外，SK集团也宣布其釜山新工厂正式量产SiC，产能扩大近3倍。 5月16日，SK集团宣布，SK powertech位于釜山的新工厂结束试运行，将正式投入批量生产。 这意味着SK集团的SiC（碳化硅）半导体产能将扩大近3倍，预计2026年SK powertech销售额增长将超过5000亿韩元（约合3.74亿美元）。 资料显示，SK集团是目前韩国首家拥有SiC全产业链的厂商，而旗下SK powertech则是全球SiC（碳化硅）电力半导体设计、生产领域的知名企业。 去年5月，SK集团宣布，未来五年将投资247万亿韩元（相当于1976亿美元）在半导体、电池以及生物制药领域进行投资，其中的179万亿韩元将在韩国本土投资以协助韩国本土振兴经济。 据“SK中国”介绍，SK powertech釜山新工厂计划到2023年第四季度，工厂开工率将提升至100%，届时新工厂将具备年产29000张（150mm/6英寸晶片标准）规模的SiC电力半导体生产能力，比目前的约10000张提升近3倍。 ?

近日，由科技日报社主办、部分两院院士和媒体人士共同评选出的2022年国内十大科技新闻揭晓，清华团队首次制成栅极长度最小的晶体管入选2022年国内十大科技新闻。 △亚1纳米栅长晶体管结构示意图 人类又向摩尔定律的极限发起挑战。这一次，中国人扮演了探索者的角色。清华大学集成电路学院团队首次制备出亚1纳米栅极长度的晶体管，该晶体管具有良好的电学性能。相关成果在线发表在3月15日的《自然》杂志上。 过去几十年，晶体管的栅极尺寸不断微缩。随着尺寸进入纳米尺度，电子迁移率降低、静态功耗增大等效应越发严重。新结构和新材料的开发迫在眉睫。目前主流工业界晶体管的栅极尺寸在12纳米以上。为进一步突破1纳米以下栅长晶体管的瓶颈，研究团队巧妙利用石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和优异的导电性能作为栅极，通过石墨烯侧向电场来控制垂直的二硫化钼（MoS_2）沟道的开关，从而实现等效的物理栅长为0.34纳米。 △随着摩尔定律的发展，晶体管栅长逐步微缩，本研究实现了亚1纳米栅长的晶体管 团队通过在石墨烯表面沉积金属铝并自然氧化的方式，完成了对石墨烯垂直方向电场的屏蔽。再使用原子层沉积的二氧化铪作为栅极介质、化学气相沉积的单层二维二硫化钼薄膜作为沟道。具体器件结构、工艺流程、完成实物图如下所示： △亚1纳米栅长晶体管器件工艺流程、示意图、表征图以及实物图 研究发现，由于单层二维二硫化钼薄膜相较于体硅材料具有更大的有效电子质量和更低的介电常数，在超窄亚1纳米物理栅长控制下，晶体管能有效的开启、关闭，其关态电流在pA量级，开关比可达105，亚阈值摆幅约117mV/dec。大量、多组实验测试数据结果也验证了该结构下的大规模应用潜力。基于工艺计算机辅助设计（TCAD）的仿真结果进一步表明了石墨烯边缘电场对垂直二硫化钼沟道的有效调控，预测了在同时缩短沟道长度条件下，晶体管的电学性能情况。这项工作推动了摩尔定律进一步发展到亚1纳米级别，同时为二维薄膜在未来集成电路的应用提供了参考依据。 △统计目前工业界和学术界晶体管栅极长度微缩的发展情况，本研究率先达到了亚1纳米 纽约州立大学布法罗分校纳米电子学家李华民对此评价道：这项新工作将栅极的尺寸极限进一步缩小到仅一层碳原子的厚度，在相当长的一段时间内，要打破这一纪录是非常困难的。 单层石墨烯厚度仅0.34纳米，本身是平面结构，这就要求沟道是垂直结构，这是一大难题。另外石墨烯除了侧壁能够栅控，其表面也能栅控，因此屏蔽石墨烯表面电场也是难点，中国团队使用自氧化铝层来完成这一点。 二维薄膜的未来集成电路将会带来柔软、透明、高密度的芯片。如果使用新材料，就有机会实现全柔性的手机——其CPU、存储器都是软的，而且更加节能。 『本文转载自网络,版权归原作者所有,如有侵权请联系删除』

[环球时报特约记者 陈立非]为确保台湾半导体产业在全球的领先地位，台“行政院”17日通过被称为“台版芯片法”的“产业创新条例”修正草案，之后将送“立法院”审议。台媒称，未来台积电、联发科等半导体大厂都有机会适用。 　　修正草案明定，在岛内进行前瞻技术创新、且居国际供应链关键地位的公司，符合“适用资格条件者”，其在前瞻创新研究发展的25%支出可抵减当年度应纳营利事业所得税额，购置先进设备的5%支出抵减当年度营利事业所得税额，且无投资抵减支出金额上限。不过，单项投资抵减总额不得超过当年度纳税额的30%，两项同时申请则以税额的50%为限。 　　台湾《联合报》举例称，假设一家公司2023年度前瞻创新研发支出为100亿元（新台币，下同）、投资先进制程机器设备150亿元，抵减前应纳税额为60亿元。如果该公司符合规定，则研发支出100亿元中，虽然可享25%优惠，但因为公司应纳营业所得税的30%，也就是最高只有18亿元可计入抵减，因此研发项目享有18亿元的抵减优惠。另外，在设备支出的150亿元中，以机器设备投抵5%的租税优惠为7.5亿元。也就是说，该公司前瞻创新研发支出加上机器设备支出两项，2023年度可享有投资抵减25.5亿元（18亿元+7.5亿元）。 　　针对此消息，台积电称会持续投资台湾，对此法案乐观其成。日月光集团旗下日月光半导体执行长吴田玉也称，未来十年，半导体产业大环境会有更大的挑战，产业在全球高额补助及多重管制之下，竞争将更为艰难。此次“产创条例”的修法，业界乐观其成，实质影响有待法规细节及配套措施。力积电董事长黄崇仁则在采访中表示，当局通过设备投资抵减，照顾台湾半导体产业的美意，他给予肯定并乐观其成，但硬冠上“前瞻研发”及“先进制程设备”，似乎只想针对台积电或少数设备商提供补助。 　　台湾《中国时报》17日引用分析师的话称，当局推出相关补助政策，有利岛内半导体厂商的竞争力，但目前半导体库存调整，成熟制程的产能利用率下滑明显，厂商营收和获利将被影响，因此对相关个股持中立的看法。 　　另有分析认为，民进党当局大力扶持半导体产业，一方面是希望从打造“护台神山”到打造“护台群山”，同时也是通过加大半导体供应链在美国心目中的分量，强化台湾安全。舆论则担忧，台湾的产业高度集中半导体产业，可能会染上“荷兰病”，也就是高科技长期一枝独秀，产业发展不均，加速M型化社会发展，进一步拉大岛内贫富差距。 ?